Name: semikron skm400gb128D
SKU: SKM400GB128D
Price: 55.00 EUR
Availability: InStock

Descripción

EMIKRON SKM400GB128D. Módulo IGBT de la marca SEMIKRON SEMITRANS M producto nuevo SIN USAR. Producto en stock para entrega inmediata.

Características

Si homogéneo
SPT = tecnología Soft-Puch-Through
VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
Alta capacidad de cortocircuito, autolimitante a 6 x Ic

Aplicaciones Típicas

Inversores de CA
UPS
Soldadores electrónicos a fsw hasta 20kHz

Absolute Maximum Ratings Tc = 25 °C, unless otherwise specified
Symbol	Conditions	Values	Units
IGBT
VCeS IC	Tc = 25 (80) °C	1200 565 (400)	V A
ICRMVGeS Tvj, (Tstg)	tp = 1 ms TOPeRATION ≤ Tstg	600 ± 20 – 40 … + 150 (125)	AV °C
Visol	AC, 1 min.	4000	V
Inverse diode
IF	Tc = 25 (80) °C	390 (260)	A
IFRM	tp = 1 ms	600	A
IFSM	tp = 10 ms; sin.; Tj = 150 °C	2900	A
Freewheeling diode
IF	Tc = 25 (80) °C	390 (260)	A
IFRM	tp = 1 ms	600	A
IFSM	tp = 10 ms; sin; Tj = 150 °C	2900	A

Characteristics Tc = 25 °C, unless otherwise specified
Symbol	Conditions	min.	typ.	max.	Units
IGBT
VGe(th)	VGe = VCe, IC = 12 mA Ve = 0, VCe = VCeS, Tj = 25 () °CTj = 25 () °C VG = 15 V, Tj = 25 (125) °C ICnom = 300 A, VGe = 15 V, chip level	4,5	5,5 0,2 1 (0,9) 3 (4) 1,9 (2,1)	6,45 0,6 1,15 (1,05) 4 (5) 2,35 (2,55)	V mAV mΩ V
ICeS
VCe(TO)
rCe
VCe(sat)
CiesCoesCresLCe	under following conditions VGe = 0, VCe = 25 V, f = 1 MHz		26 3 3	20	nFnFnF nH
RCC’+ee’	res., terminal-chip Tc= 25 (125) °C		0,35 (0,5)		mΩ
td(on) tr	VCC = 600 V, ICnom = 300 A RGon = RGoff = 4,7 Ω, Tj = 125 °C	110 60			ns ns
td(off) tf	VGe = ± 15 V	800 60			ns ns
eon (eoff)		32 (31)			mJ
Inverse diode
VF = VeC	IFnom = 300 A; VGe = 0 V; Tj = 25 (125) °C Tj = 25 (125) °C Tj = 25 (125) °C IFnom = 300 A; Tj = 125 ( ) °C di/dt = 2400 A/µs VGe = 0 V		2 (1,8)	2,5	V
V(TO) rT			1,1 3	1,2 4,3	V mΩ
IRRM Qrr			176 40		A µC
err			16		mJ
FWD
VF = VeC	IF = 300 A; VGe = 0 V, Tj = 25 (125) °C		2 (1,8)	2,5	V
V(TO) rT	Tj = 25 (125) °C Tj = 25 (125) °C		1,1 3	1,2 4,3	V mΩ
IRRM Qrr	IF = 300 A; Tj = 125 ( ) °C di/dt = 0 A/µs		176 40		A µC
err	VGe = 0 V		16		mJ
Thermal characteristics
Rth(j-c) Rth(j-c)D	per IGBT per Inverse Diode	0,055 0,125			K/W K/W
Rth(c-s)	per module	0,038			K/W
Mechanical data
Ms	to heatsink M6	3		5	Nm
Mt	to terminals M6	2,5		5	Nm
w				325	g

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Semikron Danfoss es una empresa familiar, fusionada por SEMIKRON y Danfoss Silicon Power en 2022.
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Peso	0,4 kg

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